Los MOSFET de bajo RDS (encendido) están especialmente diseñados para producir una resistencia de conmutación más baja para una carga y descarga de corriente eléctrica más rápida a temperaturas extremadamente bajas.
El estrangulador de metal mantiene la energía mucho más tiempo que los estranguladores de núcleo de hierro comunes a alta frecuencia, por lo que reduce de manera efectiva la pérdida de energía del núcleo y la interferencia EMI.
Los condensadores sólidos ESR más bajos garantizan una mejor conductividad electrónica para un excelente rendimiento del sistema y una vida útil más prolongada.
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